Мозжорин Ю.Д.

 Изобретение относится к технологии изготовления фотоприемников на основе антимонида индия. Цель изобретения - повышение выхода годных фотодиодов, пробивных напряжений фотодиодов и их стабильности за счет формирования в анодной окисной пленке отрицательного стабильного встроенного заряда. С этой целью формирование окисной пленки на поверхности легированных р-областей антимонида индия n-тип...

  Использование: микроэлектроника, технология изготовления одно- и многоэлементных приборов на основе узкозонных полупроводников с высокими электрофизическими параметрами. Сущность изобретения: при изготовлении планарных p-n-переходов на антимониде индия проводят подготовку поверхности исходной пластины антимонида индия, наносят маскирующую пленку кремния синтезом из газовой фазы, вскрываю...

 Использование: в способах изготовления диодов, транзисторов, в том числе фотодиодов и фототранзисторов. Сущность изобретения: способ включает имплантацию ионов бериллия, постимплантационный отжиг, защиту и пассивацию поверхности кристалла и металлизацию. Постимплантационный отжиг осуществляют импульсами излучения галогенной лампы, при этом в качестве исходных используют кристаллы с концен...