Пасеков В.Ф.
Изобретатель Пасеков В.Ф. является автором следующих патентов:
Способ изготовления фотодиодов на антимониде индия n-типа проводимости
Изобретение относится к технологии изготовления фотоприемников на основе антимонида индия. Цель изобретения - повышение выхода годных фотодиодов, пробивных напряжений фотодиодов и их стабильности за счет формирования в анодной окисной пленке отрицательного стабильного встроенного заряда. С этой целью формирование окисной пленки на поверхности легированных р-областей антимонида индия n-тип...
1589963Способ изготовления p-n-переходов на кристаллах антимонида индия n-типа проводимости
Использование: в способах изготовления диодов, транзисторов, в том числе фотодиодов и фототранзисторов. Сущность изобретения: способ включает имплантацию ионов бериллия, постимплантационный отжиг, защиту и пассивацию поверхности кристалла и металлизацию. Постимплантационный отжиг осуществляют импульсами излучения галогенной лампы, при этом в качестве исходных используют кристаллы с концен...
2056671