Бузуев Ю.И.

 Использование: в способах изготовления диодов, транзисторов, в том числе фотодиодов и фототранзисторов. Сущность изобретения: способ включает имплантацию ионов бериллия, постимплантационный отжиг, защиту и пассивацию поверхности кристалла и металлизацию. Постимплантационный отжиг осуществляют импульсами излучения галогенной лампы, при этом в качестве исходных используют кристаллы с концен...