Смирнов Александр Михайлович[BY]

  Использование: микроэлектроника, способ формирования КМОП-структур с поликремниевым затвором. Сущность изобретения: в способе формирования КМОП-структур с поликремниевым затвором на полупроводниковой пластине первого типа проводимости формируют области второго типа проводимости, формируют окисный слой, затем проводят его селективное травление в областях каналов p- и n-канальных транзисто...

 Использование: в микроэлектронике, в способах полупроводниковых интегральных КМОП-схем. Сущность изобретения: осуществляют травление окисного слоя над областями стоков и истоков n-канальных транзисторов, после легирования поликремния формируют маску, соответствующую топологическому рисунку электрода затвора, и проводят окисление поликремния в областях, не защищенных маской, при этом осуще...