Насейкин В.О.

 Использование: производство полупроводниковых приборов. Сущность изобретения: планарный p-n-переход имеет две области различного типа проводимости, причем p-n-переход имеет замкнутую конфигурацию. Вокруг внутренней области сформированы кольцевые зоны одинаковой с ней проводимости в виде соединенной с внутренней областью и развивающейся к периферии спирали с расстояниями между витками спир...

  Применение: изобретение относится к полупроводниковым приборам, в частности к мощным высоковольтным транзисторам. Сущность изобретения: транзистор содержит в подложке-коллекторе вспомогательную защитную транзисторную структуру с базовой и эмиттерными областями того же типа проводимости, что и основного транзистора, причем эмиттерная область защитного транзистора омически соединена электр...

  Изобретение относится к полупроводниковым приборам, в частности к мощным высоковольтным транзисторам. Сущность изобретения: транзистор содержит в подложке-коллекторе вспомогательную защитную транзисторную структуру с базовой и эмиттерными областями того же типа проводимости, что и основного транзистора, причем эмиттерная область защитного транзистора омически соединена электродом с базов...

 Использование: в микроэлектронике, в конструкции биполярных транзисторов. Сущность изобретения: мощный биполярный транзистор содержит коллекторную область, базовую область, эммитерную область гребенчатой конфигурации, окруженную по всему периметру полосковой областью постоянной ширины того же типа проводимости, что и эмиттерная область, причем расстояние между эмиттерной областью и полоск...

 Использование: в технологии изготовления биполярных транзисторов. Сущность изобретения: базовая область создается стандартными процессами фотолитографии и диффузии сквозь маску определенной конфигурации, которая представляет собой систему защитных островков шириной не более 1,28 глубины залегания коллекторного p-n-перехода. Эмиттерная область создается диффузией в область, расположенную в...

 Использование: в полупроводниковой технике и в частности в конструкциях мощных биполярных транзисторов с увеличенной областью безопасной работы. Сущность изобретения: в пространстве, заключенном между краем эмиттера и базовым контактом, создается сильнолегированная базовая область таким образом, что расстояние от края эмиттера до границы сильнолегированной базовой области уменьшается в на...