Колешко Владимир Михайлович[BY]

 Использование: в микроэлектронике для производства БИС и СБИС. Сущность изобретения: способ включает нагрев подложки в реакторе атмосферного давления, подачу смеси реагирующих газов, облучение зоны осаждения вакуумным ультрафиолетовым излучением эксимерных молекул инертного газа газоразрядной плазмы барьерного типа при напряжении 1 - 20 кВ и частоте 1 - 20 кГц, причем спектр излучения выб...

 Использование: в области микроэлектроники и позволяет увеличить производительность процесса и повысить качество получаемых мишеней и осаждаемых пленок. Сущность изобретения заключается в том, что в качестве по крайней мере одного из ингредиентов выбирают фторид элемента, входящего в состав ВТСП-пленок, и производят импульсное прессование мишеней взрывом в интервале скоростей детонации (2-...