Духанова Т.Г.

 Изобретение относится к химическому осаждению диэлектрических пленок из газовой фазы на подложки и может быть использовано для создания изолирующих и пассирующих пленок в производстве полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. С целью улучшения качества пленок за счет стабилизации содержания в них фосфорного ангидрида парогазовую смесь, состоящую из моносилана, кислорода, аргона...

 Использование: технология изготовления полупроводниковых приборов и интегральных схем в микроэлектронике. Сущность изобретения: композиция для получения пленок фосфорсиликатного стекла на полупроводниковых подложках содержит моносилан, кислород и триэтилфосфат при определенном их количественном соотношении. Изобретение относится к элементоорганическим материалам, в частности к получению л...