Натарин П.К.

 Использование: в полупроводниковой технике, а именно к технологии изготовления эпитаксиальных структур для производства полупроводниковых приборов. Сущность изобретения: предлагаемый способ создания эпитаксиальных структур состоит в том, что для предотвращения появления прослоек в рабочем эпитаксиальном слое, перед наращиванием рабочего высокоомного слоя на подложку n+-типа наращивают пер...

 Изобретение относится к электронной технике. Сущность изобретения: забракованные пластины подвергают финишной и суперфинишной обработке, удаляя сформированные рабочие слои с рабочей стороны пластины. После указанной обработки рабочие слои формируют на обратной стороне пластины. В результате получают возможность повторного использования забракованных пластин. Изобретение относится к электр...