Либо Н.А.

 Использование: технология изготовления полупроводниковых приборов на фосфиде галлия. Цель: повышение качества травления за счет повышения полирующих свойств травителя и сохранения топологии при глубоком (40 50 мкм) травления. Сущность изобретения: формирование углублений в пластинах фосфида галлия 100 проводят в травителе, содержащем иодат одновалентного металла 5 15 мас. соляную кислоту...

 Использование: в оптоэлектронике и направлено на повышение качества подготовки поверхности под контакт. Сущность изобретения: на р-слой светодиодной структуры наносят защитную маску для формирования окон под омические контакты и формируют контактные окна. В качестве маски используют слой SiO2. Травление в окнах р+-слоя под контакты ведут в концентрированной серной кислоте при 45 - 55oС в...