Петлицкий В.Н.

 Использование: в оптоэлектронике и направлено на повышение качества подготовки поверхности под контакт. Сущность изобретения: на р-слой светодиодной структуры наносят защитную маску для формирования окон под омические контакты и формируют контактные окна. В качестве маски используют слой SiO2. Травление в окнах р+-слоя под контакты ведут в концентрированной серной кислоте при 45 - 55oС в...