Фадеев Л.Л.

 Изобретение относится к способам очистки галлия от примесей обработкой расплава галлия газообразным галогеном при нагревании. Сущность: обработку расплава галлия осуществляют газообразным очищенным фтором в течение 1 - 2 ч при 200 - 150С и переменном давлении в диапазоне 1 - 760 мм рт. ст. до перевода не более 1% галлия во фторид с последующей промывкой деионизованной водой в две стадии п...

 Использование: производство высокочистого поликристаллического кремния, полупроводниковых структур методами газовой эпитаксии. Сущность изобретения: способ заключается во взаимодействии гидрида кальция с газообразным тетрафторидом кремния в солевом расплаве хлоридов лития и калия. Тетрафторид кремния используют в концентрации 50 - 100 об.%. Тетрафторид кремния разбавляют очищенным от кисл...

 Изобретение относится к области химической технологии получения поликристаллического кремния. Сущность изобретения заключается в способе получения поликристаллического кремния по замкнутому технологическому циклу, включающем водородное восстановление трихлорсилана, разделение и очистку компонентов газовой смеси (SiHCl3, SiCl4, H2,HCl), выходящей из реактора, повторное использование их для...

 Изобретение может быть использовано в производстве поликристаллического кремния, а также полупроводниковых структур методами газовой эпитаксии. Сущность изобретения заключается в том, что моносилан и дисилан получают взаимодействием силицида магния с минеральной кислотой в атмосфере гелия. Полученные продукты очищают от примесей и разделяют. В качестве минеральной кислоты используют кремн...

 Изобретение относится к химической технологии. Сущность изобретения: процесс ведут в три стадии. На первой стадии в закрытом реакторе кварц, содержащий порядка 110-4% примесей, восстанавливается до газообразного монооксида химически очищенным техническим кремнием и собственными отходами - обрезки слитков кремния с содержанием примесей не более 110-4%. Из реактора первой стадии выходит чис...