Ротенберг Б.А.
Изобретатель Ротенберг Б.А. является автором следующих патентов:

Керамический материал для термостабильных конденсаторов
(19)SU(11)1145643(13)A1(51) МПК 5 C04B35/46(12) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯк авторскому свидетельствуСтатус: по данным на 17.01.2013 - прекратил действиеПошлина: учтена за 14 год с 27.10.1996 по 26.10.1997(54) КЕРАМИЧЕСКИЙ МАТЕРИАЛ ДЛЯ ТЕРМОСТАБИЛЬНЫХ КОНДЕНСАТОРОВ Изобретение относится к радиоэлектронной технике и может быть использовано в производстве высокоча...
1145643
Сегнетокерамический материал для изготовления конденсаторов
Изобретение относится к радиоэлектронной технике и может быть использовано в производстве керамических монолитных конденсаторов с электродами из неблагородных металлов. Целью изобретения является повышение диэлектрической проницаемости и сокращение расхода драгметаллов. Для этого сегнетокерамический материал для изготовления конденсаторов, включающий, мас.%: титанат бария 78,90-81,10 и т...
1632254
Способ изготовления сегнетокерамического материала для конденсаторов
Изобретение относится к технологии сегнетокерамики и направлено на расширение интервала спекания, повышение диэлектрической проницаемости и механической прочности керамики и снижение себестоимости изделий на ее основе. Это обеспечивается тем, что материал содержит, мас. % : BaTiO3 7992,25; SrTiO3 4,512,0; BaSuO3 1,04,5; BaF2 1,753,5; LiF 0,250,5; Li2 0,250,5. При изготовлении материала п...
2012085
Сегнетокерамический конденсаторный материал
Использование: при изготовлении высоковольтных и низковольтных конденсаторов. Сущность изобретения: сегнетокерамический конденсаторный материал содержит, мас. % : титанат бария 87,8 - 90,32, станнат кальция 8,0 - 10,0, углекислый марганец 0,08 - 0,12, оксид цинка 0,45 - 0,55, оксид иттрия 0,7 - 1,7 и глину. Положительный эффект: = 6000 - 9500, v 1011 Омcм , Eпр 7 кВ/мм . 1 табл. Изобре...
2035435
Низкотемпературный керамический материал для термостабильных конденсаторов
Использование: в радиоэлектронной технике, в производстве низковольтных и высоковольтных керамических конденсаторов стабильных групп. Сущность изобретения: улучшение стабильности свойств при тепловом и электрическом воздействии достигается тем, что низкотемпературный керамический материал для термостабильных конденсаторов содержит титанат бария в количестве, мас.%: 89,75 - 95,52; пентокси...
2035780
Сегнетокерамический материал для конденсаторов с электродами из неблагородных металлов
Использование: в радиоэлектронной технике, в производстве керамических конденсаторов с электродами из неблагородных металлов. Сущность изобретения: для получения сегнетокерамического материала, устойчивого к восстановлению при обжиге, с высокой стабильностью диэлектрической проницаемости в интервале температур от -60 до 125°С и значениями диэлектрической проницаемости не менее 4000, предл...
2047233
Сегнетокерамический полупроводниковый чип-конденсатор
Использование: изобретение относится к радиоэлектронной технике и может быть использовано при изготовлении конденсаторов постоянной емкости на основе полупроводниковой сегнетокерамики с поверхностным реоксидированным слоем. Цель изобретения повышение удельной объемной емкости и снижение тангенса угла потерь, достигается тем, что сегнетокерамический полупроводниковый ЧИП-конденсатор выполн...
2047925
Способ получения титаната бария
Использование: получение соединений титаната бария для изготовления высокочастотных керамических конденсаторов. Сущность изобретения: готовят растворы тетрахлорида титана, хлорида бария и щавелевой кислоты. Смешивают их при мольном соотношении 1 : 1, 1 : (2,0 - 2,2). Отделяют полученный осадок - титанилоксалат бария - от маточника. Осадок промывают и прокаливают. Маточник обрабатывают кар...
2060946