Косушкин В.Г.

  Использование: получение полупроводниковых материалов. Сущность изобретения: монокристаллы арсенида галлия вытягивают методом Чохральского. Перед вытягиванием проводят продувку азотом с содержанием воды 0,5 - 0,8 об. % с расходом 0,8 - 1,2 л азота на 1 кг арсенида галлия. Повышается выход годного за счет очистки расплава от примесей. 1 табл. Изобретение относится к способам получения мон...

 Использование: для получения монокристаллов полуизолирующего арсенида галлия (агп). Сущность изобретения: способ включает облучение монокристаллов быстрыми нейтронами, последующий нагрев и охлаждение. Облучению подвергают монокристаллы с различной степенью компенсации при плотности потока =(0,4-0)1016 см-2. Отжиг проводят при температуре 850 900 °С в течение 20 мин при скорости нагрева и...

 Изобретение относится к технологии получения тройных полупроводниковых соединений типа AIBIIICV2I и промышленно применимо при получении монокристаллов селеногаллата серебра, которые широко используются в производстве изделий нелинейной оптики. Задачей изобретения является получение высококачественных монокристаллов селеногаллата серебра больших физических размеров (диаметром до 40 мм, дли...