Самсоненко Борис Николаевич

  Использование: изобретение относится к полупроводниковой технике. Сущность изобретения: на пластине арсенида галлия, включающей полуизолирующую подложку с буферным и активным слоями, сформированы канал в виде ряда дискретных областей, разделенных вертикальными углублениями, затвор, барьерный слой которого выполнен из Re-W s виде ряда дискретных участков, расположенных на поверхно...

 Использование: в полупроводниковой технике для изготовления полевых транзисторов Шоттки с грибообразным затвором. Сущность изобретения: барьерный слой затвора формируют методом "взрыва". Наращивают затвор осаждением из электролита металлов разделительного слоя и золота при интенсивном освещении пластины. Слои ванадия и никеля напыляют соответственно толщиной и . Предлагаемое изобретение...

 Использование: в полупроводниковой технике для изготовления мощных транзисторов Шоттки с электрохимически наращиваемым затвором. Сущность изобретения: барьерный и разделительный слои затвора наносят термическим напылением. Электрохимическим осаждением золота наращивают затвор. По маске осажденного золота удаляют напыленные слои металлов. Толщины напыленных слоев выбирают в следующих интер...