Стрельцов Вадим Станиславович

 Использование: в полупроводниковой технике для изготовления полевых транзисторов Шоттки с грибообразным затвором. Сущность изобретения: барьерный слой затвора формируют методом "взрыва". Наращивают затвор осаждением из электролита металлов разделительного слоя и золота при интенсивном освещении пластины. Слои ванадия и никеля напыляют соответственно толщиной и . Предлагаемое изобретение...