Гераськин В.В.
Изобретатель Гераськин В.В. является автором следующих патентов:
Способ выращивания кристаллов иодата лития гексагональной модификации
Изобретение относится к способам получения монокристаллов из водных растворов, конкретно кристаллов иодата лития, и позволяет повысить выход годных за счет уменьшения объема фантомной области. Приготавливают водный раствор иодата лития. Берут затравку Z-среза прямоугольной формы, ограненной по периметру гранями и с соотношением сторон по плоскости и не менее . Кристаллизацию проводя...
1503346Способ выращивания монокристаллов йодата лития гексагональной модификации
Изобретение относится к способу выращивания монокристаллов йодата лития гексагональной модификации и позволяет повысить однородность оптических элементов, изготовляемых из монокристаллов. Кристаллизацию ведут из одного раствора йода лития на прямоугольную затравку, ограненную по периметру гранями и с соотношением сторон не менее по соответствующим плоскостям. Причем размер грани выбир...
1605584Способ определения молярного процента lio2 в монокристаллах linio3
Использование: в производстве приборов квантовой электроники. Сущность изобретения: монокристаллы LiNO3 подвергают лазерному облучению. Лазерный луч, проходя через рассеиватель, попадает на монокристалл. При взаимодействии внутри кристалла основного луча с рассеянным возникает конус излучения второй гармоники благодаря эффекту векторного ООЕ синхронизма. Параметры конуса векторного синхро...
2061280