Приходько Е.Л.

 Использование: технология полупроводниковых приборов на основе тонких пленок аморфного кремния. Сущность изобретения: способ получения тонких пленок аморфного гидрогенизированного кремния включает осаждение пленки на нагретую подложку путем разложения газовой смеси, содержащей моносилан, водород и газообразный аммиак, в высокочастотной плазме тлеющего разряда, количество аммиака в смеси 1...

 Использование: изобретение относится к оптоэлектронике. Сущность: на прозрачной подложке формируют затворные электроды, затворный диэлектрик и слой аморфного гидрогенизированного кремния. По рисунку структуры наносят контактный слой легированного кремния. По маске в виде островков фоторезиста формируют области контактов к слою аморфного гидрогенизированного кремния и электроды истока и ст...