Сытин В.Н.
Изобретатель Сытин В.Н. является автором следующих патентов:
Установка для выращивания монокристаллов по методу вернейля
Установка для выращивания монокристаллов по методу Вернейля, содержащая кристаллизационную камеру, нагревательное устройство, например водородно-кислородную горелку, бункер с дозатором и шихтопроводом, кристаллодержатель с механизмом для его вертикального перемещения и вращения, отличающаяся тем, что, с целью обеспечения возможности введения дополнительных компонентов на периферию кристал...
403236Устройство для выращивания кристаллов по вернейлю
Устройство для выращивания кристаллов по Вернейлю, содержащее кристаллизационную камеру с переменным поперечным сечением, отличающееся тем, что, с целью увеличения диаметра выращиваемого кристалла, кристаллизационная камера выполнена в виде четырех секций при следующем соотношении диаметров d1 : d2 : d3 = (3 - 4) : (6 - 7) : (5,5 - 5) и высот h1 : h2 : h3 : h4 = (11 - 13) : (4 - 6) : (3 -...
522567Способ выращивания кристаллов тугоплавких окислов методом вернейля
Способ выращивания кристаллов тугоплавких окислов методом Вернейля, включающий подачу кислорода по внутренним, центральному и соседнему с ним каналам и последующее чередование раздельных потоков водорода и кислорода, отличающийся тем, что, с целью обеспечения более широкого фронта кристаллизации и увеличения за счет этого диаметра выращиваемых кристаллов, скорость истечения кислорода по в...
778363Устройство для выращивания кристаллов по методу вернейля
Устройство для выращивания кристаллов по методу Вернейля, включающее кристаллизатор со смотровым окном и горелку, установленную над ним, отличающееся тем, что, с целью более равномерного обогрева торца растущего кристалла и улучшения за счет этого его оптической однородности, нижний торец горелки выполнен сферическим с радиусом R = 2F, где F - расстояние от нижнего торца горелки до оси см...
805667Устройство для подачи шихты в кристаллизационный аппарат
Устройство для подачи шихты в кристаллизационный аппарат, содержащее корпус, имеющий патрубки для присоединения к аппарату, установки бункера с шихтой и подачи газа, поворотную пробку, в которой выполнены перпендикулярно ее оси сквозные отверстия для подачи газа и шихты и два соединенных каналом паза, отличающееся тем, что, с целью сокращения времени смены бункеров и повышения за счет это...
1070954Устройство для выращивания монокристаллов тугоплавких веществ
Использование: в кристаллографии. Сущность изобретения: устройство содержит камеру роста, размещенный в ней прутковый нагреватель, у которого число нижних прутков больше, чем верхних, окружающие его многослойные горизонтальные и торцевые экраны, образующие на входе и выходе из нагревателя коридоры для перемещения контейнера. В коридоре на выходе из нагревателя установлен дополнительный эк...
2061803