Шумило В.И.

 Использование: в технологии получения полупроводниковых материалов высокой чистоты. Сущность изобретения: способ включает ионноплазменную обработку поверхности кварца в плазме ВЧ-разряда с использованием аргона и кислорода в качестве компонентов плазмообразующей газовой смеси при давлении ниже атмосферного. Способ отличается тем, что плазму ВЧ-разряда возбуждают индуктивным способом из вн...