Кибалов Д.С.

 Использование: при элементном анализе несквозных отверстий и канавок, высота которых значительно превышает линейные размеры их дна. Сущность изобретения: участок дна облучают электронным зондом со скомпенсированным дрейфом. Компенсацию проводят генерированным электрическим полем. Регистрируют вторичные электроны, не отраженные от стенок углубления, анализатором типа цилиндрическое зеркало...

 Использование: неразрушающие методы контроля полупроводниковых структур без формирования контактов. Сущность изобретения: выявляют контролируемые области в режиме потенциального контраста по контактным потенциалам. Облучают образец импульсным потоком оптического излучения. В режиме потенциального контраста с линеаризацией измеряют наведенную фотоЭДС, подбирают энергию и ток электронного з...

 Использование: микроэлектроника. Сущность изобретения: в способе формирования твердотельных наноструктур поверхность материала облучают потоком ионов под углом, отличным от нормали. Период получаемой структуры для каждого материала задают подбором типа ионов и величин температуры обрабатываемого материала, энергии ионов и угла их падения. Для генерирования потока ионов выбирают вещество,...

 Изобретение относится к электронной и вакуумной технике. Технический результат - обеспечение возможности изготовления наноструктур, пригодных для изготовления полупроводниковых приборов с высокой степенью интеграции, а также оптических приборов высокого разрешения. Сущность: установка содержит вакуумную камеру с системами откачки и отжига, устройство ввода полупроводниковых пластин в каме...

 Использование: изготовление оптоэлектронных и наноэлектронных устройств. Сущность изобретения: поверхность кремния распыляют посредством равномерного потока ионов молекул азота в сверхвысоком вакууме для образования периодического волнообразного рельефа. Энергию ионов, угол падения ионов на поверхность упомянутого материала, температуру кремниевого слоя, глубину образования волнообразного...

 Установка для формирования рисунка на поверхности пластин для расширения функциональных возможностей содержит формирователь матрицы ионных пучков, выполненный с возможностью формирования ленточных ионных пучков, наклонно падающих на поверхность пластины в свободном от электростатических полей пространстве. 2 з.п. ф-лы, 3 ил. Изобретение относится к установкам для формирования рисунка на п...

 Установка для формирования рисунка на поверхности пластин для повышения качества рисунка выполнена с обеспечением возможности перемещения ионного пучка по поверхности пластины с постоянной скоростью в направлении, параллельном плоскости осей колонн ионного и электронного пучков. 3 з.п.ф-лы, 1 ил. Изобретение относится к установкам для формирования на пластинах различных рисунков. Известна...

 Способ формирования рисунка на поверхности пластины для повышения качества рисунка заключается в том, что задают распределение потока ионов на основании выбранной длины волны так, чтобы при распылении кремния этим потоком формировалась волнообразная структура при очередном роcте волн. 9 з.п. ф-лы, 8 ил. Изобретение относится к способу формирования рисунка с размерами элементов менее 100 н...

 Использование: для изготовления полевых транзисторов со структурой металл-окисел-полупроводник. Сущность изобретения: способ изготовления полевого транзистора с периодически легированным каналом заключается в том, что перед формированием затвора полевого транзистора для увеличения крутизны в N раз и увеличения рабочей частоты в 2N раз кремниевого n-канального полевого транзистора выбирают...

 Использование: в технологии микроэлектроники. Сущность изобретения: способ формирования нанорельефа на поверхности пленок заключается в том, что наносят на пленку слой кремния толщиной от полутора до трех глубин формирования наноструктуры в слое кремния; распыляют поверхность кремния потоком ионов молекул азота в вакууме с выбором энергии ионов азота, угла потока ионов азота по отношению...