Ловягин Р.Н.

 Способ получения пленок твердых материалов путем распыления материала мишени ионами инертного газа с последующим осаждением на подложку в высоком вакууме триодной системы, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества наносимых пленок, на подложку подают потенциал термокатода, к мишени прикладывают напряжение 500 - 1000 В относительно подложки, а плазму формируют в области под подложк...

 Способ обработки кремния n-типа проводимости, включающий выдержку пластин при 1250-1300oC в вакууме, отличающийся тем, что, с целью повышения качества поверхности кремния, обрабатываемую пластину экранируют кремниевой пластиной n-типа проводимости с образованием микрополости и создают между пластинами температурный градиент 100-200o град/мкм с поддержанием максимальной температуры на обра...

 Способ изготовления n-p-переходов с неплоским профилем в кремниевой пластине р - типа, включающий операции ионной имплантации донорной примеси и последующего гермического отжига, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрических параметров n-p-переходов, формирование профиля n-p-перехода производят после отжига, для чего на пластину, нагретую до температуры 700 - 800oC, направляют лу...

 Способ изготовления p-n-переходов в монокристаллах CdxHg1-xTe с х = 0,200 - 0,225, включающий помещение исходного кристалла n-типа проводимости с концентрацией носителей 1014 - 1016 см-3 в замкнутый объем, нагрев до выбранной температуры и последующий отжиг при постоянстве температуры в течение времени необходимого для создания на поверхности слоя p-типа проводимости заданной толщины, отл...

 Использование: в технологии изготовления фотоприемников инфракрасного излучения. Сущность изобретения: на исходных кристаллах Cdx Hg1-x Те с = 0,190-0,250 p-типа проводимости размещают индиевую фольгу и помещают полученный сендвич в замкнутый объем, заполненный деионизованной водой. Затем проводят нагрев до температуры 220-245 град.С и отжиг при этой температуре в течение времени 500-100...