Выгловский В.М.

 Изобретение относится к области микроэлектроники, в частности к конструкции мощных СВЧ генераторных, линейных и импульсных транзисторов. Цель изобретения - увеличение выходной мощности, повышение стабильности и надежности в рабочем режиме за счет улучшения токостабилизирующих свойств резисторов. Балластные эмиттерные тонкопленочные резисторы выполнены из пленок CoSi2 или VSi2 , величина к...

 Использование: полупроводниковая электроника, конструкция полупроводникового переключающего прибора-тиристора. Сущность изобретения: планарный переключающий полупроводниковый прибор, содержащий низкоомную подложку с выращенным на ее поверхности эпитаксиальным высокоомным слоем, в котором созданы р-n-р- и многоколлекторный n-р-n-транзисторы, при этом область базы n-р-n- транзистора одновре...