Кононов В.К.

  Использование: микроэлектроника, технология производства полевых структур с управляющим p - n-переходом и вертикальным каналом. Сущность изобретения: на кремниевой подложке с эпитаксиальным слоем первого типа проводимости формируют многослойную диэлектрическую маску, проводят травление затворных областей плазмохимическим методом до образования щели, затем окисляют внутреннюю поверхность...

  Использование: изобретение предназначено для получения подзатворных окисных слоев КМОП-интегральных схем, полупроводниковых приборов, а также окисных слоев, применяемых в качестве изоляции активных элементов и в интегральных и дискретных структурах. Сущность изобретения: способ включает формирование окисного слоя на подложке и последующее термическое нитрирование его в азотсодержащей газ...

 Использование: для получения металлических порошков и гранул. Сущность изобретения: кристаллизатор заливают в емкость, нагревают до температуры, исключающей химическое взаимодействие кристаллизатора и расплава лития, создают вибрационные колебания определенной частоты и амплитуды и подают расплав лития под давлением через сопло в жидкий кристаллизатор. Перепадом давления обеспечивают стру...

 Использование: получение солей щелочных металлов. Сущность изобретения: слиток металлического лития помещают в камеру, заполненную азотом. Проводят локальный нагрев поверхности слитка электродугой, лазером или токами высокой частоты. Получают затравки нитрида лития. Включают локальный нагрев. Слиток выдерживают в камере в атмосфере азота при атмосферном давлении до полного взаимодействия...