Кириенко В.В.

 Использование: микроэлектроника, в производстве быстродействующих радиационно стойких цифровых и аналого-цифровых интегральных схем на изолирующих подложках. Сущность изобретения: способ получения структуры "полупроводник на пористом кремнии" включает анодное травление в растворе плавиковой кислоты сильнолегированной монокристаллической подложки кремния p-типа, сушку в атмосфере кислорода...

 Использование: микроэлектроника, в производстве быстродействующих радиационностойких цифровых и аналого-цифровых интегральных схем на изолирующих подложках. Сущность изобретения: способ получения структуры "полупроводник-на-изоляторе" включает анодное травление в растворе плавиковой кислоты сильнолегированной монокристаллической подложки кремния p-типа, удаление с поверхности пористого сл...

 Изобретение относится к электронной технике преимущественно микро- и наноэлектронике, и может быть использовано в производстве интегральных схем с квантово-размерными гетероэпитаксиальными структурами на изолирующих подложках. Способ окисления кремния основан на анодной поляризации кремния в растворах электролитов. В качестве окислителей используют растворы электролитов в легких гомофункц...