Ламин М.А.

 Устройство для закрепления полупроводниковых пластин, содержащее основание с токоподводами и с элементами фиксации полупроводниковой пластины и хвостовик, отличающееся тем, что, с целью расширения эксплуатационных возможностей, оно снабжено элементами разъемного соединения хвостовика и основания в виде выполненных в основании фигурных пазов и фигурных штифтов, установленных на хвостовике...

 Использование: микроэлектроника, в производстве быстродействующих радиационно стойких цифровых и аналого-цифровых интегральных схем на изолирующих подложках. Сущность изобретения: способ получения структуры "полупроводник на пористом кремнии" включает анодное травление в растворе плавиковой кислоты сильнолегированной монокристаллической подложки кремния p-типа, сушку в атмосфере кислорода...

 Использование: микроэлектроника, в производстве быстродействующих радиационностойких цифровых и аналого-цифровых интегральных схем на изолирующих подложках. Сущность изобретения: способ получения структуры "полупроводник-на-изоляторе" включает анодное травление в растворе плавиковой кислоты сильнолегированной монокристаллической подложки кремния p-типа, удаление с поверхности пористого сл...