Хохлов Юрий Александрович

 Изобретение позволяет повысить скорость роста покрытия высокого качества путем воздействия на подложку направленным потоком плазмы, полученным в разряде со скрещенными электрическим и магнитным полями. Для этого в вакуумной камере расположены магнетронный источник и первый и второй узлы плазмообразования и создаваемые ими потоки направлены на подложку. С помощью системы транспортировки в...

 Изобретение относится к вакуумной плазменной технологии, предназначено для чистки и напыления на поверхность изделий тонкопленочных защитных или декоративных покрытий и может использоваться в машиностроении, микроэлектронике, легкой и других отраслях промышленности. Сущность изобретения: способ состоит в том, что деталь погружают последовательно в поток инертного плазмообразующего газа, д...