Емельченко Г.А.
Изобретатель Емельченко Г.А. является автором следующих патентов:
Устройство для выращивания кристаллов
1. УСТРОЙСТВО ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ на затравку, включающее тигель для расплава с затравкодержателем внутри, выполненный в виде полого закрытого цилиндра, закрепленного в керамической оболочке, которая установлена в нагревательной камере с возможностью поворота, отличающееся тем, что, с целью увеличения срока службы, тигель выполнен разъемным в виде двух одинаковых стаканов, состыков...
850765Устройство для выращивания кристаллов
УСТРОЙСТВО ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ на затравку по авт. св. N 850765, отличающееся тем, что, с целью повышения его надежности за счет исключения вытекания расплава из тигля при его переворотах, торец первого стакана с затравкодержателем в месте разъема тигля выполнен с выемкой, имеющей внутреннюю цилиндрическую и внешнюю коническую форму, высота выемки с конической формой меньше высоты...
946266Устройство для выращивания монокристаллов твердых растворов
УСТРОЙСТВО ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ, включающее нагревательную камеру, установленную в ней с возможностью поворота вокруг горизонтальной оси керамическую оболочку, кристаллизатор, расположенный в оболочке и имеющий внутри затравкодержатель и установленный напротив него подпитывающий тигель, снабженный в верхней части перфорированной крышкой, отличающееся тем, что,...
1050300Способ выращивания монокристаллов yba2cu3o7-
Изобретение относится к области выращивания монокристаллов высокотемпературных сверхпроводников YВа2С3О7-б из высокотемпературных растворов, включающий нагрев исходной смеси оксидов Y2О3, ВаО2 и СuО до плавления, гомогенизацию раствора-расплава, охлаждение до температуры роста и выращивание при постоянной температуре. В начале процесса образуют питатель на дне тигля и ведут перекристаллиз...
2064023