Лунин Л.С.

 Изобретение относится к технологии п/п приборов. Сущность изобретения - на лазерной гетероструктуре n-n-n-p-p готовят линейные зоны в маске из оксида кремния. Между подложкой из арсенида галлия и гетероструктурой формируют жидкую линейную зону на основе свинца или висмута и ведут зонную перекристаллизацию. Через 1,5 - 2 ч направление градиента температуры меняют. В области линейных зон пр...

 Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых материалов и может быть использовано для создания оптоэлектронных приборов, работающих в спектральном диапазоне 0,59-0,87 мкм. Изобретение обеспечивает повышение качества гетерограницы, расширение спектрального диапазона материала от 0,59 до 0,87 мкм и получение однородного по составу эпитаксиального слоя. Способ включает осаж...