Сысоев И.А.
Изобретатель Сысоев И.А. является автором следующих патентов:

Способ получения широкозонного окна в лазерной гетероструктуре на основе соединений a3b5 и их твердых растворов
Изобретение относится к технологии п/п приборов. Сущность изобретения - на лазерной гетероструктуре n-n-n-p-p готовят линейные зоны в маске из оксида кремния. Между подложкой из арсенида галлия и гетероструктурой формируют жидкую линейную зону на основе свинца или висмута и ведут зонную перекристаллизацию. Через 1,5 - 2 ч направление градиента температуры меняют. В области линейных зон пр...
2032776
Зеркальный корректор волнового фронта
Использование: в адаптивных оптических системах, предназначенных для компенсации искажений волнового фронта светового излучения. Сущность изобретения: зеркальный корректор содержит N пьезопластин, N управляющих электродов в виде гибких металлических подложек с кольцеобразными утолщениями по периферии, установленными в соответствующих углублениях основания, имеющего также соосные углублени...
2042160
Способ получения гетероструктур на основе полупроводниковых соединений
Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых материалов и может быть использовано для создания оптоэлектронных приборов, работающих в спектральном диапазоне 0,59-0,87 мкм. Изобретение обеспечивает повышение качества гетерограницы, расширение спектрального диапазона материала от 0,59 до 0,87 мкм и получение однородного по составу эпитаксиального слоя. Способ включает осаж...
2064541