Величко Александр Андреевич

  Использование: изобретение относится к полупроводниковым приборам, в частности к конструкции фотоприемной ячейки на основе МДП-структуры. Сущность изобретения: известная полупроводниковая гетероэпитаксиальная структура для фотоприемной ячейки, включающая подложку из арсенида галлия n-типа и размещенный на ней гетероэпитаксиальный слой арсенида индия n-типа, содержит дополнительно два сил...

  Изобретение относится к полупроводниковым приборам, в частности к конструкции гетероэпитаксиальной структуры. Сущность изобретения: полупроводниковая гетероэпитаксильная структура расположена на полупроводниковой монокристаллической подложке с гетероэпитаксиальным слоем n-типа и нарушенным слоем на границе раздела. Гетероэпитаксиальный слой содержит n+ -слоя, причем первый с толщиной, ра...

 Использование: изобретение относится к полупроводниковым приборам, в частности к конструкции гетероэпитаксиальной структуры. Сущность изобретения: полупроводниковая гетероэпитаксиальная структура для фотоприемной ячейки содержит монокристаллическую подложку, размещенный на ней гетероэпитаксиальный слой полупроводника n-типа с нарушенным слоем на границе раздела. Этот слой содержит два сил...

 Использование: в микроэлектронике. Сущность: в активном слое полупроводника формируют последовательность включенные через туннельно прозрачную структуру два фотодиода, в каждом из которых поглощается половина падающего светового потока. 2 ил. Изобретение относится к области микроэлектроники, в частности к конструкции фотоприемной ячейки на основе диодной структуры. Диодная фотоприемная яч...

 Использование: изобретение относится к области полупроводниковых приборов, в частности к конструкции гетероструктуры "кремний-на-стекле" и способу ее получения. Сущность: структура имеет следующую последовательность расположения слоев: подложка из нетермостойкого стекла, диэлектрический буферный слой CaF2, слой кремния, защитный слой CaF2, получаемые напылением в сверхвысоком вакууме с по...