Илюшин Владимир Александрович

  Изобретение относится к полупроводниковым приборам, в частности к конструкции гетероэпитаксиальной структуры. Сущность изобретения: полупроводниковая гетероэпитаксильная структура расположена на полупроводниковой монокристаллической подложке с гетероэпитаксиальным слоем n-типа и нарушенным слоем на границе раздела. Гетероэпитаксиальный слой содержит n+ -слоя, причем первый с толщиной, ра...

 Использование: изобретение относится к полупроводниковым приборам, в частности к конструкции гетероэпитаксиальной структуры. Сущность изобретения: полупроводниковая гетероэпитаксиальная структура для фотоприемной ячейки содержит монокристаллическую подложку, размещенный на ней гетероэпитаксиальный слой полупроводника n-типа с нарушенным слоем на границе раздела. Этот слой содержит два сил...