Китаев А.Я.

 Изобретение относится к области получения полупроводников. Устройство для выращивания монокристаллов методом Чохральского содержит плавильную камеру, тигель, нагреватель, затравкодержатель на гибкой подвеске и узел гашения колебаний, причем узел гашения колебаний выполнен в виде двуплечего рычага, на одном плече которого выполнена прорезь, на другом помещен груз, и установленного в верхне...

 Использование: изобретение относится к получению полупроводниковых материалов, в частности к получению стержней поликристаллического кремния как исходного материала для выращивания монокристаллов кремния. Сущность изобретения: установка включает в себя разъемный реактор, вертикальную стойку, контейнер, подъемник, систему подачи компонентов, транспортировочную тележку. Верхняя часть реакто...