Ленивкина И.В.

 Использование: технология изготовления полупроводниковых приборов и интегральных схем. Сущность: полупроводниковые пластины помещают в электролит, содержащий 2103 моль/л Pb(NO3)2 тиомочевину 510-3 моль/л или селеномочевину 510-3 моль/л, с помощью нагревательного устройства электролит с подложкой нагревают до температуры, при которой начинается осаждение. Одновременно с нагревом проводят л...

 Использование: при изготовлении датчиков состава газа. Сущность изобретения: способ включает очистку поверхности керамической подложки, напыление контактных площадок, напыление металлической пленки, термическое окисление ее и присоединение к контактным площадкам выводов. Металлическую пленку формируют толщиной 0,01-0,03 мкм путем последовательного напыления олова и легирующей металлическо...