Склизнев С.М.

 (19)SU(11)1274558(13)A1(51)  МПК 6    H01L21/66(12) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯк авторскому свидетельствуСтатус: по данным на 17.01.2013 - прекратил действиеПошлина: (54) СПОСОБ КОНТРОЛЯ ПАРАМЕТРОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДНЫХ СТРУКТУР Изобретение относится к области полупроводниковой электроники, в частности к полупроводниковому приборостроению. Цель изобретения увели...

 Использование: контроль качества транзисторов и транзисторных структур на различных этапах технологического цикла путем прогнозирования шумовых параметров на рабочей частоте. Сущность изобретения: измеряют температурные зависимости шума на нескольких фиксированных низких частотах в линейном режиме при нулевом напряжении затвора и определяют максимумы на этих зависимостях. По полученным ре...

 Использование: в области вакуумной электроники, позволяет повысить достоверность и упростить контроль качества катодов. Сущность изобретения: измеряют фликкерную компоненту шума при фиксированной частоте f, устанавливают отбираемый с катода ток изменением положительного напряжения на аноде, при этом остальные электроды имеют нулевой потенциал. При каждом значении тока измеряют соответству...