Данилова Н.Ф.

 Использование: в производстве микроэлектронной аппаратуры. Сущность: в подложке из нитрида алюминия толщиной 100 мкм формируют углубления со ступенчатой поверхностью. Лазерным облучением формируют монтажные контакты в объеме и проводящие дорожки на поверхности, при этом формирование монтажных контактов осуществляют одновременным воздействием лазерного излучения с двух сторон подложки в те...

 Изобретение относится к микроэлектронике. Сущность изобретения: подложку из алюминия электрохимически анодируют, термообрабатывают и после повторной термообработки при 550oС отделяют две тонкие диэлектрические подложки. 5 ил. Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано при изготовлении гибридных интегральных схем на диэлектрических подложках. Известен способ изготов...

 Изобретение относится к производству микроэлектронной аппаратуры, в частности, к изготовлению гибридных интегральных микросхем на различных подложках. Сущность изобретения: межслойные изоляционные слои на подложке получают нанесением полимерного материала при центрифугировании, причем их формируют с помощью маски, имеющей окна. Маска закреплена на поверхности подложки магнитным полем. Цен...