Нугаева Л.Л.
Изобретатель Нугаева Л.Л. является автором следующих патентов:

Резистивный материал
Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано в технологии изготовления резисторов с функциональной зависимостью электрического сопротивления от времени, работающих при высоких температурах. Целью изобретения является расширение области применения за счет повышения электрического сопротивления и увеличения времени его релаксации. Эта цель достигается тем, что в рез...
1664062
Резистивный материал
Использование: изобретение относится к электронной технике и может быть использовано в технологии изготовления резисторов с функциональной зависимостью сопротивления от времени, работающих при комнатной температуре. Сущность изобретения: изобретение позволяет снизить интервал рабочих температур материала путем введения в резистивный материал, содержащий сульфид серебра, сульфид германия и...
1779192
Резистивный материал
Использование: в микроэлектронной аппаратуре с малыми значениями токов и напряжений, где требуются переключения в течение небольших промежутков времени при 10 - 150oС. Это обеспечивается за счет добавления к халькогениду серебра селенида германия и селенида мышьяка и использования в качестве халькогенида серебра селенида серебра согласно эмпирической формуле (Ag2Se)x(GeSe)2(1-x)(AS2Se3)x,...
2066076