PatentDB.ru — поиск по патентным документам

Сандеров В.Л.

Изобретатель Сандеров В.Л. является автором следующих патентов:

Автомат для поточного изготовления складчатых подогревателей

Автомат для поточного изготовления складчатых подогревателей

  М 106773 Класс 7d, 1, 2 СССР ГС Сбi03i) р 1 1:А. ::I".."„-. ТЕХц ."-. L g

106773

Полуавтомат для припайки полупроводниковых кристаллов и переходов к держателям стержневого типа полупроводниковых диодов

Полуавтомат для припайки полупроводниковых кристаллов и переходов к держателям стержневого типа полупроводниковых диодов

  Класс 21а4,7Д ссср ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Подписная группа J¹ 89 В. Л. Сандеров, В. М. Ермолаев, P. И, Матвеева, Л. Б. Хаит и М. П. Блинова ПОЛУАВТОМАТ ДЛЯ ПРИПАИКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ КРИСТАЛЛОВ И ПЕРЕХОДОВ К ДЕРЖАТЕЛЯМ СТЕРЖНЕВОГО ТИПА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ Заявлено 22 ноября 1960 г. за ¹ 686065/26 в Комитет по делам изобретений и открытий п...

143445

Полуавтомат для армирования выводов полупроводниковых приборов

Полуавтомат для армирования выводов полупроводниковых приборов

  № 151730 Класс И Oll; 21g, 13ат 21g, 131 СССР / ь» ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ &8Cr ФФ/4 Г1/ОЮ Подписная группа № 97 А. М. Гирель, М. Я. Якубов и В. Л. Сандеров ПОЛУАВТОМАТ ДЛЯ АРМИРОВАНИЯ ВЫВОДОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПPИБОРОВ Заявлено 25 ноября 1961 г. за № 753183/26-9 в Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР Опубликова...

151730

Способ изготовления интегральной схемы

Способ изготовления интегральной схемы

 Сущность изобретения: при изготовлении интегральной схемы ориентацию кристалла с выступами основания пресс-формы осуществляют по базовым элементам выводной рамки. Фиксацию кристалла ведут при давлении, не превышающем давление прессования. При заливке кристалла формируют в подложке-носителе конусные отверстия для соединения с крепежными концами выводной рамки. Очистку заготовки ведут плазм...

2023329

Интегральная микросхема

Интегральная микросхема

 Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано в конструкциях полупроводниковых приборов. Цель изобретения - повышение надежности. Интегральная микросхема содержит кристалл 1, площадки 2, проводники 3, 4, 5 с наружными участками 6 и 7, корпус 8 с углублениями 10. Использование микросхемы позволяет обеспечить ее автоматизированный монтаж. 2 з.п. ф-лы, 2 ил. Изобретение...

2038648


Способ изготовления полупроводниковых приборов

Способ изготовления полупроводниковых приборов

 Изобретение относится к микроэлектронике. Сущность изобретения: между выводами формируют разделенные с ними и между собой два ряда перемычек по контуру рамки, второй ряд из которых контактирует с первым и рамкой, а после литьевого прессования объема, ограниченного началом первого ряда перемычек и соответственно размерами корпуса, удаляют все перемычки первого ряда и формируют последовател...

2066079