Вартанян В.И.
Изобретатель Вартанян В.И. является автором следующих патентов:
Магниторезистивная ячейка памяти
Изобретение относится к вычислительной технике, в частности к магнитным запоминающим устройством с произвольной выборкой информации. Целью изобретения является уменьшение токов управления при тех же размерах магниторезистивной ячейки памяти, что приведет к увеличению плотности информации благодаря уменьшению размеров полупроводниковых схем управления, расположенных на той же подложке, уме...
2066483Магниторезистивная ячейка памяти
Изобретение относится к вычислительной технике, в частности к магнитным запоминающим устройствам с произвольной выборкой информации. Целью изобретения является уменьшение токов управления при тех же размерах магниторезистивной ячейки памяти, что приведет к увеличению плотности информации благодаря уменьшению размеров полупроводниковых схем управления, расположенных на той же подложке, уме...
2081460