Комаров Ю.А.

  Мо 144401 Класс 59b, 4 СССР ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Г!одпасная группа Лв 237 В, В. Иванов и Ю. А. Комаров ПРИВОДНОЙ ГЕРМЕТИЧНЫЙ ЦЕНТРОБЕЖНЪ|Й НАСОС Заявлено 1! мая 1961 г. за ЛЪ 729999/25-8 в Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров СГСР Опубликовано в «Бюллетене изобретений» М 2 "a !962 г. Предмет изобретения Приводной герметичный ц...

  Класс 59b, 2 № 150011 СССР Рг °" 1, 1 ° ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Подписная группа М 287 В. В. Иванов, Ю. А. Комаров и Г. М. Щеглов ЦЕНТРОБЕЖНЫЙ САМОВСАСЫВАЮЩИЙ НАСОС С ДИНАМИЧЕСКИМ СЕПАРАЦИОННЫМ УСТРОЙСТВОМ Заявлено 5 октября 1961 г. за ¹ 746763/25-8 в Комитет по делам изобретений н открытий при Совете Министров СССР Опубликовано в «Ь|оллетспс изобрете...

 (19)SU(11)1085439(13)A1(51)  МПК 5    H01L21/26(12) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯк авторскому свидетельствуСтатус: по данным на 27.12.2012 - прекратил действиеПошлина: (54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МИКРОСХЕМ Изобретение относится к производству полупроводниковых приборов, в частности к производству кремниевых интегральных схем с диэлектрически изолированными n-p-n и p-n-p...

 (19)SU(11)1108966(13)A1(51)  МПК 5    H01L21/76(12) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯк авторскому свидетельствуСтатус: по данным на 17.01.2013 - прекратил действиеПошлина: (54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КРЕМНИЕВЫХ ТРАНЗИСТОРНЫХ СТРУКТУР С ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ИЗОЛЯЦИЕЙ Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых интегральных схем, в частности транзисторных стру...

 (19)SU(11)1116919(13)A1(51)  МПК 5    H01L21/76(12) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯк авторскому свидетельствуСтатус: по данным на 17.01.2013 - прекратил действиеПошлина: (54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КРЕМНИЕВЫХ ТРАНЗИСТОРНЫХ СТРУКТУР С ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ИЗОЛЯЦИЕЙ Изобретение относится к технологии производства полупроводниковых схем, в частности к изготовлению интегральных схе...

 (19)SU(11)1222149(13)A1(51)  МПК 5    H01L21/74(12) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯк авторскому свидетельствуСтатус: по данным на 17.01.2013 - прекратил действиеПошлина: (54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СТРУКТУР КРЕМНИЕВЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ С ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ИЗОЛЯЦИЕЙ КОМПОНЕНТОВ Изобретение относится к производству полупроводниковых микросхем, в частности к изготовлению структ...

 Использование: в приборостроении для измерения количества газа в бытовых условиях. Сущность изобретения: устройство содержит корпус 1, измерительную камеру с нижней 2 и верхней 3 полостями, входной 4 и выходной 5 патрубки, кромку 6, магнитную муфту 7, устройство отсчета 8, прямолопастную турбину 9, клапан 10, седло 12 со скосом 11 на внутренней боковой поверхности, кольцо 13, тангенциальн...