Буданов В.Н.
Изобретатель Буданов В.Н. является автором следующих патентов:

Гибридная интегральная схема
Использование: изобретение относится к электронной технике. Сущность изобретения: обеспечивается улучшение массогабаритных и электрических характеристик, что достигается выполнением углублений на обеих сторонах платы, в которые установлены кристаллы бескорпусных полупроводниковых приборов таким образом, что они расположены на одном уровне с поверхностью платы, при этом толщина связующего...
2067363
Многослойная гибридная интегральная схема свч
Изобретение относится к электронной технике. Сущность изобретения: в многослойной печатной плате в каждой подложке в пакете на обратной ее стороне выполняется углубление, в котором размещается бескорпусной полупроводниковый прибор. Такое расположение приборов улучшает электрическое и массогабаритные характеристики. 1 з.п. ф-лы, 2 ил. Изобретение относится к полупроводниковой микроэлектрон...
2071646
Многослойная гибридная интегральная схема свч и квч диапазонов
Использование: электронная техника. Сущность изобретения: в многослойной плате, состоящей из отдельных подложек с рисунком проводников, выполняются углубления в подложках, прилегающих к тем, на которых установлены навесные бескорпусные полупроводниковые приборы. Последние размещаются в углублениях определенным образом. 2 з.п. ф-лы, 2 ил. Изобретение относится к полупроводниковой микроэлек...
2088057