Кипарисов С.Я.

 Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано при изготовлении полупроводниковых интегральных схем. Сущность: способ включает химическую обработку пластины, нанесение на лицевую поверхность резиста, формирование с помощью литографии контактной маски, осаждение на вскрытый рисунок интегральной схемы многослойной композиции металлов из соответствующих водных растоворов,...

 Использование: изобретение относится к технологии получения полупроводниковых приборов. Сущность: металлизацию электродов (истока, стока и затвора) транзистора осуществляют химическим осаждением из растворов селективно через фоторезистивную контактную маску. В качестве материала затвора используют покрытие, выполненное из аморфного, тугоплавкого сплава никель-палладий-фосфор, который осаж...