Баринов Константин Иванович

 Применение: изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано при производстве полупроводниковых интегральных схем, больших интегральных схем, сверхбыстродействующих интегральных схем, а также для создания многокристальных модулей и других гибридных микросборок. Сущность изобретения: большая интегральная схема содержит основание кристаллодержателя, выполненное из полупров...

 Применение: изобретение относится к микроэлектронике, и может быть использовано при производстве интегральных схем, больших интегральных схем, сверхбыстродействующих интегральных схем, а также при создании многокристальных модулей и других типов интегральных гибридных микросборок. Сущность изобретения: большая интегральная схема содержит основание кристаллодержателя, на рабочей поверхност...

 Использование: в области микроэлектроники в производстве полупроводниковых интегральных схем с большой, сверхбольшой и ультрабольшой степенью интеграции, предназначенных для создания на основе этих узлов и блоков изделий электронной техники и радиоэлектронной аппаратуры повышенной группы сложности с расширенными функциональными возможностями как специального, так и общепромышленного назна...

  Изобретение относится к системам измерения и обработки информации и может быть использовано для определения линейного и углового отклонений упругого протяженного тела, одним концом закрепленного относительно заданной системы координат, в частности для измерения положения трубного става, погружаемого в воду с добывающего судна. Однородная распределенная информационная система обеспечивает...

  Сущность изобретения: зондовая головка содержит основание, выполненное из монокристаллического полупроводника со сквозными отверстиями в виде усеченных пирамид. Основание выполнено не менее, чем из двух пластин, усеченные пирамиды совмещены большими основаниями, а полости заполнены токопроводящей жидкостью. 1 з.п. ф-лы, 3 ил. Изобретение относится к радиоэлектронике и может быть использо...

 Изобретение относится к микроэлектронике. Большая интегральная схема содержит кристаллодержатель, выполненный из пластины монокристаллического полупроводникового материала с кристаллографической ориентацией (100), на поверхности которой сформированы физические слои многоуровневой коммутационной системы с телами контактирования, образующими в определенных сочетаниях знакоместа для кристалл...