Хаустов Владимир Анатольевич

 (57) Использование: изобретение может быть использовано при изготовлении дискретных приборов и интегральных схем. Сущность: на поверхности кремниевой подложки нелитографическими методами создаются маскирующие участки субмикронного размера, удаленные друг от друга на субмикронное расстояние и имеющие произвольную форму; эта маска используется для анизотропного травления кремниевой пластины...

 Использование: в технологии интегральных микросхем, формируемых на основе кремний на изоляторе (КНИ) структур. Сущность изобретения: нелитографическими методами на поверхности кремниевой пластины создается маска. Рисунком маски является совокупность отверстий произвольной формы с размером менее микрона, отстоящих друг от друга на расстоянии не превышающем микрона. Травлением через маску с...

 Изобретение относится к микроэлектронике, более конкретно к технологии интегральных микросхем, формируемых на основе кремний на изоляторе (КНИ) структур. Сущность: нелитографическими методами на поверхности исходной подложки создается маска. Рисунком маски является совокупность отверстий произвольной формы и субмикронных размеров, отстоящих друг от друга на субмикронные расстояния. Травле...