Белицкий А.В.

 Использование: получение монокристаллов высокотемпературных сверхпроводников. Способ включает нагрев шихты следующего состава мол.м: Bi2O3 19,85-20,62 PbO4,41-4,58; SrCO3 31,75-32,24; Ca-CO3 13,56-13,82; CuO остальное. Затем проводят гомогенизацию расплава и его кристаллизацию (К) при охлаждении в интервале (Д) 880-892°С на платиновом кристаллодержателе. По истечении 3-4°С от начала К ее...

 Использование: электронная техника. Сущность изобретения: в гибридной интегральной схеме СВЧ полосковые элементы из высокотемпературного сверхпроводника закреплены на диэлектрической подложке с помощью прилегающей к ним диэлектрической пластины с канавками, повторяющими топологический рисунок схемы. Канавки имеют глубину 5 мкм ttмак, где tмак - толщина полоскового элемента, и ширину, равн...