Малинов А.Ю.

  Изобретение относится к пленочной микроэлектронике, в частности к магнетронным устройствам ионно-плазменного нанесения пленок материалов в производстве тонкопленочных элементов интегральных микросхем. Устройство позволяет повысить эффективность и стабильность работы в процессе нанесения пленки при рабочем давлении 0,05-Па. С этой целью в катоде выполняют полость, в которой устанавливают...

 Использование: для обработки подложек большой площади потоком ЭЦР-плазмы с целью осаждения тонких пленок, модификации поверхности, очистки или травления. Сущность изобретения: источник плазмы ЭЦР-разряда представляет собой расположенные вдоль стенки вакуумной камеры и параллельно друг другу СВЧ-антенны в виде стержней, которые с одного конца соединены через герметичные СВЧ-вводы с источни...