Мазаев А.А.

 Использование: при производстве приборов и устройств полупроводниковой электроники, а также криоэлектроники. Диэлектрический слой осаждают в виде аморфного материала при температуре подложки не свыше 300C, а затем осуществляют нагрев слоя до температуры, обеспечивающей фазовый переход диэлектрика в кристаллическое состояние, импульсным воздействием потоками плазмы или потоками квантов в с...

 Использование: получение прокладок, уплотнителей, нагревателей. Сущность изобретения: порошок природного графита обрабатывают смесью, содержащей, мас. %: К2Cr2O7 - 2-4, КHSO4 - 1-2, Н2SO4 - остальное, выдерживают при перемешивании, осадок отфильтровывают, промывают, сушат на воздухе, термообрабатывают в инертной среде при 700-1000oC, отжигают на воздухе при 500oC. Выход расширенного графи...