Шмелева Г.Г.

  Изобретение относится к полупроводниковой технике и направлено на расширение области применения способа для кремния с содержанием кислорода 51015-91017 см-3 Цель достигается тем, что данный способ изготовления кремниевых пластин с геттерирующими центрами в объеме пластины включает проведение двухступенчатого отжига при 650 750°С и 950 1000°С в течение 3 4 ч на каждой стадии. Перед отжиго...

 Изобретение относится к полупроводниковой технике и направлено на обеспечение стабильного качества кремниевых пластин. Цель достигается тем, что проводят сначала отжиг в окислительной атмосфере при 1100 - 1200°С, а затем - отжиг в окислительной среде при 430 - 450°С и двухступенчатый отжиг в инертной среде при 700 - 750°С в течение 4 - 6 ч и 1000 - 1050°С. Причем продолжительность отжигов...

 Изобретение служит для изготовления фотоприемников. Сущность: исходную кремниевую подложку p+-типа проводимости, легированную галлием, отжигают для получения на поверхности слоя р-типа. В случае проведения отжига в нейтральной или окислительной газовой среде при 1150 - 1230oС резкость p+-р-переходов выше, чем в случае отжига в вакууме при тех же температурах. Экспериментальным путем найде...

 Использование: в технологии изготовления полупроводниковых приборов. Сущность изобретения: в способе формирования тонких монокристаллических слоев на изоляторе или другом полупроводниковом материале сначала проводят термокомпрессионное соединение рабочей пластины с пластиной-носителем, при этом соотношение площадей рабочей пластины и пластины-носителя не более 0,85, затем формируют на пов...