Бузовкина Н.В.

 Изобретение относится к выращиванию монокристаллов методом Чохральского. Тигель выполнен в форме прямого усеченного конуса. При этом отношение разницы диаметров оснований тигля к его высоте равно 0,1 - 0,2. Такое соотношение обеспечивает наклон стенок тигля под углом 6 - 12o. Получены кристаллы Bi12GeO20, Bi12SiO20 и Bi4Ge3O12 диаметром более 60 мм, у которых отсутствовали включения второ...