PatentDB.ru — поиск по патентным документам

Радучев В.А.

Изобретатель Радучев В.А. является автором следующих патентов:

Способ получения покрытия из порошковых материалов

Способ получения покрытия из порошковых материалов

 Способ получения покрытия из порошковых материалов, включающий приготовление реакционной смеси, размещение слоя смеси на стальной подложке, предварительный нагрев и инициирование самораспространяющегося высокотемпературного синтеза, отличающийся тем, что, с целью повышения качества покрытия за счет уменьшения пористости и повышения микротвердости и упрощения технологического процесса, пре...

1561342

Способ получения плавленных тугоплавких веществ

Способ получения плавленных тугоплавких веществ

 Способ получения плавленных тугоплавких веществ, включающий размещение исходной заготовки в спиралевидном индукторе, нагрев и гарнисажное плавление заготовки, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности технологии и увеличения выхода годного, перед нагревом заготовки закручивают индуктор до обжатия боковой поверхности заготовки давлением до 0,8 предела ее прочности при изгибе, зап...

1581195

Устройство для гарнисажной плавки тугоплавких веществ

Устройство для гарнисажной плавки тугоплавких веществ

 1. Устройство для гарнисажной плавки тугоплавких веществ, содержащее герметичную камеру с размещенным в ней индуктором в виде спирали с верхним и нижним токовводами, систему откачки и напуска газов в камеру, отличающееся тем, что, с целью повышения надежности работы устройства и расширения сортамента выплавляемых веществ, оно снабжено дополнительной герметичной цилиндрической водоохлаждае...

1600603

Способ получения монокристаллов карбидов или боридов тугоплавких металлов и карбида бора

Способ получения монокристаллов карбидов или боридов тугоплавких металлов и карбида бора

 Способ получения монокристаллов карбидов или боридов тугоплавких металлов и карбида бора, включающий индукционное плавление шихты в водоохлаждаемом тигле и выращивание монокристаллов при температуре 0,8-1,0 температуры плавления соединения в атмосфере защитного газа гарнисажным методом, отличающийся тем, что, с целью увеличения производительности процесса, в качестве шихты используют пред...

1695709

Устройство для выращивания кристаллов

Устройство для выращивания кристаллов

 Устройство для выращивания кристаллов тугоплавких веществ, содержащее герметичную камеру из диэлектрического материала, размещенный в ней холодный тигель, выполненный из трубчатых элементов, расположенных с зазором, и снабженный штуцерами для ввода и вывода хладагента, и индуктор, отличающееся тем, что, с целью повышения надежности устройства и уменьшения потерь исходного материала, холод...

1746756


Устройство для гарнисажной плавки тугоплавких веществ

Устройство для гарнисажной плавки тугоплавких веществ

 Устройство для гарнисажной плавки тугоплавких веществ, содержащее герметичную наружную камеру, цилиндрическую камеру высокого давления с верхней и нижней торцевыми крышками, установленную внутри наружной камеры, индуктор с верхним и нижним токовводами, выполненный в виде водоохлаждаемой спирали из трубчатых элементов, диэлектрический экран и металлический стакан, последовательно охватываю...

1839065

Способ получения монокристаллов тугоплавких веществ

Способ получения монокристаллов тугоплавких веществ

 Использование: материалы для электротехнической и инструментальной промышленности и техники высоких температур. Сущность изобретения; исходную шихту плавят в холодном контейнере в пульсирующем режиме, расплавляя и охлаждая до 0,8 - 1,0 температуры плавления 2 - 7 раз. После каждого охлаждения проводят выдержку 0,1 - 20 мин. Получают игольчатые и пластинчатые монокристаллы размером до 3,5...

2072399