PatentDB.ru — поиск по патентным документам

Лебединская М.Ф.

Изобретатель Лебединская М.Ф. является автором следующих патентов:

Компаунд для защиты полупроводниковых кристаллов

Компаунд для защиты полупроводниковых кристаллов

 Использование: в качестве защиты p-n-переходов, работающих в режиме больших токов и в условиях отвода тепла. Сущность изобретения: повышение удельной теплопроводности достигается путем ввода в состав композиции вюрцитного нитрида бора в соотношении, мас.%: роливсан МВ-1 70; толуол 5; вюрцитный нитрид бора 25. 2 ил., 1 табл. Изобретение относится к микроэлектронике и предназначено для испо...

2022396

Компаунд для защиты полупроводниковых кристаллов

Компаунд для защиты полупроводниковых кристаллов

 Использование: для защиты p-n-переходов приборов, работающих в условиях отвода тепла при больших токах. Сущность изобретения: повышение удельной теплопроводности компаунда достигается тем, что в состав композиции дополнительно введен гексагональный нитрид бора при следующем соотношении ингредиентов, мас.%: роливсан МВ-1 70; гексагональный нитрид бора 25; толуол 5. 1 табл. Изобретение отно...

2022397

Компаунд для защиты р-n переходов

Компаунд для защиты р-n переходов

 Назначение: электронная техника. Сущность изобретения: компаунд дополнительно содержит алмаз синтетический ультрадисперсный и малеиновый ангидрид при следующем соотношении ингредиентов, мас. %: роливсан 70-74,7; алмаз синтетический ультрадисперсный 20-25; малеиновый ангидрид 1,5-1,6; толуол - остальное. Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано в полупроводнико...

2101802